作为内存颗粒三大供应商之一，美光在DDR4早期一直默默无闻。各大高端内存很少使用美光颗粒，DIY玩家也避免使用美光DDR4颗粒。造成这种现象的根本原因是美光DDR4颗粒的超频能力较差。所以现在是9012了，DDR5也快要出来了。美光能赶上 DDR4 吗？本文在AMD平台上对自家DIY品牌Crucial内存进行了简单的测试，供大家参考！
由于本文的主角是英锐达ddr4 8g 2666通用条，是从某鱼那里购买的，所以开箱步骤就省略了。主角简单露脸：
基本信息：内存是2019年第11周生产的，颗粒是D9VPP，2019年第9周生产的，Typhoon软件显示E die，16nm工艺，应该是工艺Typhoon软件有问题显示，我在网上查到的信息是Micron E die是19nm工艺。由于微米对粒子有一个特殊的名称，我们很难直观地理解。您可以在此网页上检查颗粒属于哪个模具。
处理器：Ryzen 2400g
主板：华擎B350 ITX
硬盘：pm961 256G
机箱电源迎光肖邦
牙膏厂的美光E裸片可以达到4000+，而且IMC对CPU的压力很小，那么在按摩店平台上表现如何呢？一位业余新手简单分享给大家：
英锐达给出的默认时序很高，感觉没有太多挤压空间。首先我用aida64测了一下读写性能和延迟，确实很差。双通道读取37G/s，写入39G/s，复制33G/s。这个数据基本无法读取，延迟接近100ns（这都怪AMD了o(╥﹏╥)o）。
首先我在默认参数下直接用3200开始。 1.2V内存电压居然一下子就开启了电脑，而且电量也有所提升。之前玩过全合的ddr4 2133内存。这些芯片是 Micron B 芯片。无论我如何改变时序，提高电压，最大只能到2666。打开电脑简单测试后，看到可怕的时序，立即重新启动尝试压缩时序。首先最常见的是16-18-18，无法开启。即使电压为1.4V，仍然无法开机。后来听说美光的第二、第三时序更高，就尝试了16-19-19-36 1.2V。计算机启动成功，读写性能和延迟得到改善。但时序比与其他内存3200相比差别很小，电压也只有1.2v。我们使用 Kofupu AFR 粒子来模拟相同序列中的内存性能。内存电压为1.35v，但是Kofu在1.2v下无法启动。上图是英锐达数据，下图是相同参数的数据。
因为内存稳定性测试时间太长，所以只做了简单的测试。我用aida64单拷贝了内存，烤了差不多半个小时。记忆是正常的。复制完后忘记截图了。花了6分多钟才截图。
在我使用的平台上，这套内存最多只能开启3466，简单的测试就完成了，但未能通过稳定性测试，在测试中，aida64单拷贝内存在5分钟左右就变红了，memtest测试也很快就报错了。放松时序并加电压应该可以通过测试。考虑到我的小机箱和普通条没有马甲，散热压力太大，所以没有进行进一步的稳定性测试。主要是怕内存被烧毁，咸鱼不保。
240左右的价格在一个月前应该是很热门的。毕竟超频和海力士的AFR差不多，虽然时序较高导致读写性能较差（我的科富内存在测试平台上最大只能是3266 16-15-15-32 1.35v，读46，写入48，复制42+延迟70ns；华擎有一波sao操作，最新的BIOS只能有3266的afr，之前可以是3466），但电压低，散热压力小。如果价格在200左右的话，我还是推荐大家购买，但是现在有点贵，而且很难选购。目前已知的电子模具有 D9VPP D9VPS C9BJZ C9BHS D9WFL。欢迎补充。
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